Bir Intel direktörü, gelecekteki transistör tasarımlarının, yüksek performanslı yarı iletkenlerin üretiminde gelişmiş litografi ekipmanlarına olan ihtiyacı azaltabileceğine inanıyor. ASML’nin ekstrem ultraviyole (EUV) litografi makineleri, TSMC gibi firmaların silikon disk üzerine son derece küçük devreler basmasını sağlayarak modern ileri çip üretiminin belkemiğini oluşturuyor. Ancak Intel direktörü, geçit-çevreleyen FET (GAAFET) ve tamamlayıcı FET (CFET) gibi gelecekteki transistör tasarımlarının, üretimin litografi sonrası adımlarına daha fazla dayanacağını ve yüksek performanslı çiplerin üretiminde litografinin genel önemini azaltacağını öne sürüyor.
Intel Direktörü: Gelecek Yarı İletken Üretiminde Aşındırma Şirketlerinin Rolü Artabilir
Yatırım araştırma platformu Tegus’ta yayınlanan ve X’te paylaşılan bir tartışmada, adı açıklanmayan bir Intel direktörü, gelecekteki transistör tasarımlarının gelişmiş litografi ekipmanlarına daha az, aşındırma (etching) teknolojisine ise daha fazla dayanacağını belirtiyor. ASML’nin gelişmiş EUV ve yüksek-NA EUV tarayıcıları gibi litografi makineleri, özellikle ihracat kontrol kısıtlamaları nedeniyle en çok tartışılan çip üretim ekipmanları olsa da, bir çip üretmek başka adımları da içerir. Litografi, tasarımın disk üzerine aktarıldığı ilk adımdır. Bu tasarımlar daha sonra biriktirme (deposition) ve aşındırma gibi süreçlerle sağlamlaştırılır. Biriktirme, çip üreticilerinin diske malzeme depolamasını sağlarken, aşındırma ise transistör ve devre desenlerini oluşturmak için malzemeleri seçici olarak çıkarır.
Intel direktörüne göre, GAAFET ve CFET gibi yeni transistör tasarımları, çip üretim sürecinde litografi makinelerinin önemini azaltabilir. Bu makineler, özellikle EUV tarayıcıları, küçük devre tasarımlarını diske aktarma veya basma yetenekleri nedeniyle 7 nanometre ve gelişmiş teknolojilere sahip çiplerin üretiminde çok önemli bir rol oynamıştır. Tasarımlar aktarıldıktan sonra, aşındırma fazla malzemeyi diskten çıkararak tasarımları nihai hale getirir. Çoğu mevcut transistör tasarımı, transistörlerin alttaki yalıtım malzemesine bağlandığı ve içlerindeki elektrik akışını kontrol eden bir geçitten geçtiği FinFET modelini takip eder. GAAFET gibi daha yeni tasarımlar, geçidi transistörlerin etrafına sararken, transistör grupları paralel olarak yer alır. CFET gibi ultra yüksek performanslı transistör tasarımları ise transistör gruplarını üst üste istifleyerek disk üzerinde yer tasarrufu sağlar.
Intel direktörüne göre, GAAFET ve CFET tasarımları geçidi her taraftan “sardığı” için, diskten fazla malzemeyi çıkarmak çok önemlidir. Bu ‘sarma’ durumu, çip üreticilerinin fazla malzemeyi yanal olarak çıkarmasını gerektiriyor, bu nedenle özellik boyutlarını küçültmek için diskin litografi makinesinde geçirdiği süreyi artırmak yerine, üreticiler malzemeyi aşındırma yoluyla çıkarmaya daha fazla odaklanacaklar.
Çip üretiminde ‘yanal’ yönün artan önemi, yüksek NA EUV makinelerinin, öncülleri olan EUV tarayıcılarının 7 nanometre veya gelişmiş teknolojilerdeki çiplerin üretimi için olduğu kadar kritik olmasının “daha az olası” olduğu anlamına geliyor. Yöneticinin inancına göre, bu değişimin nihai sonucu, “minimum özelliğe olan bağımlılığı azaltmasıdır, çünkü sadece belirli bir düzlemde değil, dikey olarak da yüksek yoğunluk elde edebilirsiniz.”
