1. Anasayfa
  2. Donanım

Samsung, 9. Nesil QLC V-NAND ile Depolamada Seri Üretime Başladı

Samsung, 9. Nesil QLC V-NAND ile Depolamada Seri Üretime Başladı
V-NAND
0

Samsung, depolama teknolojilerindeki liderliğindeki hızı bir kez daha kanıtlayarak, sektörün ilk 9. Nesil QLC V-NAND belleklerinin seri üretimine başladığını resmen onayladı. Ayrıca bu yeni nesil bellek, daha yüksek kapasite, daha iyi performans ve daha düşük enerji tüketimi gibi önemli avantajlar sunmaya hazırlanıyor.

QLC (Quad-Level Cell), bir bellek hücresinde dört farklı seviyede veri saklanabileceği anlamına geldiğini söyleyelim. Tabiki bu sayede, aynı fiziksel alanda daha fazla veri depolanabilir ve depolama kapasiteleri önemli ölçüde artırılabilir durumda olacak. V-NAND (Vertical NAND) ise, bellek hücrelerinin dikey olarak istiflenmesiyle elde edilen bir teknolojidir. Bu sayede, daha küçük bir alanda daha fazla bellek hücresi yerleştirilebilir ve böylece depolama yoğunluğu artırmada önemli faktör oynar.

Nesil QLC V-NAND, bu iki teknolojinin bir araya gelmesiyle ortaya çıkan en gelişmiş depolama çözümlerinden biridir. Yeni nesil bellekler, önceki nesillere göre çok daha yüksek bir bit yoğunluğuna sahip. Bu sayede, daha küçük boyutlarda daha büyük kapasiteli depolama cihazları üretilebildiğini de belirtelim.

    Nesil QLC V-NAND’ın Başlıca Avantajları:

    • Yüksek Kapasite: Daha fazla veriyi daha küçük bir alanda depolama imkanı sunar.
    • Yüksek Performans: Daha hızlı okuma ve yazma hızları sayesinde daha akıcı bir kullanıcı deneyimi sağlar.
    • Düşük Enerji Tüketimi: Daha verimli bir yapıya sahip olduğu için daha az enerji tüketir.
    • Daha Uzun Ömür: Gelişmiş hata düzeltme mekanizmaları sayesinde daha uzun ömürlüdür.
    • Sektördeki en yüksek katman sayısını elde etmek için Samsung’un Kanal Deliği Aşındırma teknolojisi, çift katmanlı bir yapıyla  kullanıldı
    • QLC V-NAND, önceki nesil QLC V-NAND’a göre %86 daha yüksek yoğunluğa sahiptir 
    • Designed Mold’un benimsenmesi, önceki sürümlere kıyasla veri tutma performansını yaklaşık %20 oranında iyileştirerek ürün güvenilirliğini artırdı. 
    • Samsung’un QLC 9. nesil V-NAND’ı, bu teknolojideki gelişmeler sayesinde yazma performansını iki katına çıkardı ve veri giriş/çıkış hızını %60 oranında iyileştirdi. 
    •  Düşük Güç Tasarım teknolojisinin kullanılmasıyla veri okuma ve yazma güç tüketimi sırasıyla yaklaşık %30 ve %50 oranında azaldı.

    Samsung, güç tasarruflu ve yüksek performanslı NAND sunarak yapay zeka pazarının taleplerini karşılama yolunda ilerlerken, mobil ve bilgi işlem cihazlarına yönelik ürün yelpazesini de genişletmeye devam ediyor.

    Reaksiyon Göster
    • 0
      alk_
      Alkış
    • 0
      be_enmedim
      Beğenmedim
    • 0
      sevdim
      Sevdim
    • 0
      _z_c_
      Üzücü
    • 0
      _a_rd_m
      Şaşırdım
    • 0
      k_zd_m
      Kızdım
    Paylaş

    E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir